SK 하이닉스가 HBM2E 메모리의 개발을 발표한지 10개월 만에 양산을 시작한다고 발표했습니다.
TSV 사용, 핀 당 3.6Gbps의 속도에 1024 데이터 I/O니까 3686.4Gbps의 속도, 8개를 적층해 총 460.8GB/s의 속도를 내며, 16Gb 칩 8개를 적층해 16GB의 용량을 달성했습니다.
참고/링크 | https://news.skhynix.com/sk-hynix-starts...ram-hbm2e/ |
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SK 하이닉스가 HBM2E 메모리의 개발을 발표한지 10개월 만에 양산을 시작한다고 발표했습니다.
TSV 사용, 핀 당 3.6Gbps의 속도에 1024 데이터 I/O니까 3686.4Gbps의 속도, 8개를 적층해 총 460.8GB/s의 속도를 내며, 16Gb 칩 8개를 적층해 16GB의 용량을 달성했습니다.