인텔은 FinFET를 대체할 새로운 기술에 대해 설명했습니다. 게이트 올 어라운트, 2D 나노 시트를 비롯해 CMOS를 완전히 벗어나는 것까지 포함한 새로운 제조 기술을 연구 중입니다. 

 

인텔은 FinFET가 트랜지스터 밀도와 로직 성능을 높이고 구동 전류를 확장하는 방법이라고 이야기했었습니다. 그 동안 여러 세대에 거쳐 FinFET를 발전시켜 왔지요. 

 

 

FinFET 이후에 등장할 게이트 올 어라운드 기술입니다. 여기에선 트랜지스터 핀이 공중에 뜬 것처럼 보이는데, 이를 나노와이어라 부릅니다. 또 나노 시트라고 더 넓은 형태의 트랜지스터 핀이 관통하는 형태도 있습니다. 이건 MBCFET군요. GAA는 3nm 공정부터 도입되리라 여겨지는데, 인텔 5nm과 비슷한 트랜지스터 밀도를 지닙니다. 

 

 

GAA는 실리콘 수준에서 공간과 전력을 절약할 수 있습니다. 트랜지스터를 작동 요구에 맞춰서 조정할 수 있습니다. FinFET는 오직 하나의 전력/클럭에 맞춰 설계하지만 GAA는 연속적인 변화가 가능합니다. 

 

삼성은 3nm 공정 모드부터 GAA를 사용하겠다고 밝혔습니다. 인텔은 나노 와이어와 나노 리본의 도입 시기에 대해 명확히 밝히지 않았습니다. 로드맵을 공개하는 게 목적이 아니니 '앞으로 5년 내'라고 애매하게 답했습니다. 

 

인텔은 2021년에 7nm EUV를 도입하고 2022년에 7+, 2023년에 7++와 5nm를 도입합니다. 따라서 정말 빨리 나온다면 2023년에나 나노와이어를 통한 게이트 올 어라운드 GAA를 도입할 듯 합니다. 2024년에는 5+, 2025년에는 5++와 3nm가 나옵니다. 늦어도 3nm에서는 GAA로 건너간다는 소리겠군요.