글로벌 파운드리가 22nm FD-SOI(22FDX) 임베디드 MRAM 비휘발성 메모리의 시험 생산을 시작했다고 발표했습니다.
에버스핀과 함께 개발한 수핀 주입형 자기 저항 메모리 STT-MRAM으로, 전력 사용량이 낮지만 속도는 빠르며 비휘발성이라는 특징은 갖고 있습니다.
임베디드 플래시 메모리(eFLASH)를 대체하기 위해 개발된 제품으로, 장기간 데이터 보관이 가능하며 260도에서 리플로우를 해도 데이터가 유지됩니다.
읽기 속도는 임베디드 플래시 메모리와 같고, 삭제/재기록 속도는 eFLASH의 10마이크로초보다 훨씬 빠른 200나노초입니다.
용량은 4Mb~32Mb, 48Mb도 4분기에 출시 예정입니다. 메가바이트가 아니라 메가비트입니다.