에버스핀이 1Gb 용량의 STT-MRAM(스핀 토크 자기 저항 메모리)을 28nm 공정으로 시험 생산한다고 발표했습니다. 작년에는 286Mb의 STT-MRAM을 생산했고, 이를 토대로 용량을 1Gb까지 올렸네요.
8비트와 16비트 DDR4 인터페이스를 사용하고, JEDEC 표준 호환의 BGA 패키징을 씁니다. 이걸 각종 장치의 캐시로 활용할 예정입니다.
참고/링크 | https://www.everspin.com/news/everspin-e...-component |
---|
에버스핀이 1Gb 용량의 STT-MRAM(스핀 토크 자기 저항 메모리)을 28nm 공정으로 시험 생산한다고 발표했습니다. 작년에는 286Mb의 STT-MRAM을 생산했고, 이를 토대로 용량을 1Gb까지 올렸네요.
8비트와 16비트 DDR4 인터페이스를 사용하고, JEDEC 표준 호환의 BGA 패키징을 씁니다. 이걸 각종 장치의 캐시로 활용할 예정입니다.