반도체 디바이스와 제조 공정 기술 관련 세계 최대 규모의 국제 학회인 IEDM (International Electron Devices Meeting)이 12월 1일~5일에 미국 캘리포니아주 샌프란시스코에서 개최됩니다. 여기에서 어떤 발표가 있는지 봅시다.

 

인텔과 마이크론은 플래시 메모리의 최신 기술 해설, 스케일링의 미래 전망, 하프늄 산화물 강유전체 트랜지스터(FeFET)를 3D 낸드 기술로 수직 적층한 구조를 발표합니다. 또 300mm 웨이퍼로 2층 구조의 FinFET 회로를 제작합니다. 채널 왜곡을 넣어 성능을 높인 나노 와이어의 Ge P채널 FET 제작 성과도 있습니다.

 

중국 과학원은 하프늄 지르코늄 산화물 강유전체 트랜지스터를 포함한 DRAM과 임베디드 비휘발성 메모리를 사용하는 기술을 개발했습니다. 또 SMIC와 공동으로 40nm 로직의 임베디드 PCM 기술을 발표.

 

UC 버클리 대학은 MEMS 릴레이로 기본적인 논리 회로를 만들고 실온에서 동작을 확인했습니다. 50mV의 매우 낮은 전원으로 작동.

 

르네사스는 하프늄 지르코늄 산화물 강유전체 박막 알루미늄 나노 클러스터를 포함하는 비휘발성 메모리 기술을 개발했습니다.

 

일본 산업 기술 종합 연구소는 초접합 구조와 V형 트렌치를 결합해 높은 내압과 낮은 온 저항을 달성한 SiC MOSFET을 제작.

 

도쿄 대학의 공동 연구팀은 5V의 낮은 게이트 전압에서 작동하는 1200V/10A급 실리콘 IGBT를 개발.

 

옴니비전은 픽셀 크기와 화소 피치가 1.5μm로 매우 작은 이면조사 CMOS 센서를 발표. 화소 수는 8백만입니다.

 

카이스트와 공동연구팀은 차세대 실리콘 집적 회로용으로 매우 얇은 확산층을 실현한 불순물 도핑 기술을 개발했습니다. 확산층 두께는 10nm, 도핑 농도는 p형 확산층이 10의 20제곱, n형이 10의 21제곱. iCVD에 붕소, 폴리머, 인을 포함한 고분자를 성형해 확산층 불순물로 사용했습니다.

 

ASML은 EUV 노광 개발 현황을 설명합니다. 최신 노광 장치인 NXE: 3400B로 1시간당 140장 이상의 웨이퍼 처리가 가능합니다. 

 

도시바와 SK 하이닉스는 나노 임프린트 기술 노광으로 하프 피치 14nm 패턴을 뽑았습니다. 나노 임프린트는 기존의 ArF 스캐너 축소 투영 기술보다 노광 장치의 비용이 더 저렴해질 것으로 기대됩니다.

 

인텔은 22nm CMOS 로직으로 임베디드 저항 메모리 MRAM을 만듭니다.

 

삼성전자는 28nm FD SOI CMOS 로직의 임베디드 MRAM 기술을 발표합니다. 3nm 공정으로 게이트 올 어라운드 타입 FET를 개발해 SRAM 셀을 만듭니다. 

 

STMicroelectronics는 28nm FD SOI CMOS 로직에 임베디드 상변화 메모리 PCM 기술을 설명합니다.

 

글로벌 파운드리와 실리콘 스토리지 테크놀러지는 28nm HKMG 기술로 CMOS 로직에 임베디드 게이트 플래시 메모리 기술을 실현합니다.

 

TSMC는 게르마늄 나노 와이어의 n채널 FET와 p채널 FET를 모두 지원하는 게이트 스택 기술을 홍보. 40nm 세대 저전력 로직 플랫폼에 넣을 PCM 기술도 개발.

 

퍼듀 대학은 WSe2를 사용해 트랜지스터의 CMOS SRAM 셀을 만듭니다.

 

스탠포드 대학과 쑤저우 대학 연구팀은 TMD 재료에 MoS2를 사용한 트랜지스터와 질화 붕소의 저항변화 메모리 소자를 조합, 저항 변화 비휘발성 메모리 ReRAM 셀을 만들었습니다. 

 

글로벌 파운드리는 자동차용 임베디드 MRAM 기술 개발 성과를 발표합니다. 22nm FD SOI CMOS로 만들었습니다. 

 

National Applied Research Laboratories와 공동 연구팀은 하프늄 지르코늄 산화물 HZrO)의 부성용량 FinFET로 인버터 논리 게이트, 링 오실레이터, SRAM 셀을 만들어 기존 기술과 비교했습니다. 

 

대만 국립 사범 대학과 공동 연구팀은 하위 임계값 특성이 매우 양호한 부성용량 FET를 GAA 구조와 Fin 구조로 만들었습니다.

 

 

SK 하이닉스는 3D 크로스 포인트 구조로 128Gbit 대용량 상변화 메모리 PCM을 만듭니다. 칼코게나이드 재료를 사용.