키오시아와 웨스턴 디지털이 218단으로 적층한 3D 낸드 플래시를 발표했습니다. 여기에선 CBA(CMOS direct Bonded to Array)라는 기술을 사용한 것이 특징입니다. CMOS 웨이퍼와 셀 어레이 웨이퍼를 따로 만들어 합치는 것인데, 이것이 저장 밀도와 속도를 높이는 데 도움을 준다고 합니다.
218단 3D 낸드는 TLC와 QLC로 출시되며 저장 밀도가 50% 이상 높아집니다. 또 기존 세대보다 60% 빨라진 3.2Gb/s의 I/O와 20%의 쓰기 성능 향상이 특징입니다.
안정성과 신뢰성을 우선시하는 일본쪽 답네요. 원가경쟁력이 약해지더라도 wafer bonding 쪽으로 가려하는군요
뭐 I/O 측면도 고려했을수도 있겠죠