대충 50MTrs/mm2 수준입니다. 나비 21 22 23이 대체적으로 47~51 정도이니,

걍 자기 형님들이랑 트랜지스터 밀도가 비슷한 수준이에요.

 

하지만 얘는 공정이 N6입니다. EUV를 적용하여, 성능과 면적에서 10~15% 정도 상승한

N7+에서 더 개량된 버전이란 얘기죠. 제가 알기로 고밀도 라이브러리 기준 18% 정도 좋을 겁니다.

고밀도 기준으로 114MTr/mm2 근방이니, 끽해야 96 언저리인 N7보다는 확실히 좋습니다.
(물론 고밀도 기준이라 고성능 기준이라면 얘기가 다를 수 있음) 전력/클럭까지 감안하면 더더욱이죠.

 

하튼 다이 사이즈 줄여서 더 많이 뽑아보겠다는 명분으로 PCIe 버스도 후려치고, 인코더/디코더도

모조리 빼버렸는데 정작 공정 리프레시를 하고서도 밀도 향상은 전혀 없군요 (=공정 대비 면적개선이 없음)

되도 않는 체급에 성능 올려보겠답시고 차력쇼까지 해서 전성비 열창난 건 덤이구요.

얘는 도대체 뭘 위해서 N6으로 설계한 걸까요?