삼성이 최대 512GB의 8스택 TSV DDR5 메모리를 계획하고 있습니다. 패키징을 최적화해 기존의 4스택 DDR4 메모리보다도 높이가 더 낮아집니다. 다이 사이의 간격을 40% 줄이고 얇은 웨이퍼를 사용해 높이를 줄였다네요. 또 8스택 TSV 모듈은 쿨링에도 도움을 줍니다. 

 

현재 DDR4 메모리에 비하면 용량이 늘어났을 뿐더러, 7.2Gbps의 대역폭으로 성능 역시 향상됩니다. 전압은 1.1V로 줄어듭니다. 

 

다만 이 램은 어디까지나 데이터센터 시장을 위한 것이며 일반 소비자 시장에서는 64GB보다 더 큰 메모리 모듈을 기대하긴 힘들 겁니다. 그리고 DDR5로의 전환은 2023/2024년에나 이루어지겠지만, 데이터센터는 그보다 더 빨리 양산할 예정입니다.