How memory frequency affects latency - Tighter timings vs. Higher speeds?

어떻게 메모리 주파수가 지연시간에 영향을 끼치는가. - 빡센 타이밍 VS 높은 속도?

(CAS지연시간이나 열 주소 스트로브 지연시간인) CL은 클럭 사이클로 측정되며, 공통적으로 'ticks' (올라가는 신호구간) 에서 쓰인다. 그러므로 CAS수치 4는 4사이클을 의미하는데, 당신이 이미 짐작 했듯이, 이것은 전부 메모리 속도에 의존한다. 속도를 높이면, 사이클 타임이 빨라지는데, 이것은 높은 메모리 속도와 풀어진 타이밍 설정보다 낮은 메모리 속도가 더 낮은 CAS 값을 설정하여 더 낮은 지연시간을 제공한다. (그리고 가끔씩 더 높은 대역폭도 지원할 때도 있다.)

내가 왜 이말을 하는가? 단순하게, 성능 중시 동호회에서의 주된 논쟁중의 하나는 지금까지도 메모리에 관한 것이다. - 높은 주파수와 빡신 타이밍 중 어떤 것이 더 중요하느냐? 대부분 프로세서 X는 더 높은 메모리 스피드와 풀어진 타이밍에서 더 좋은 성능을 갖고 있다고 알고 있으며, 반대로 생각하면, 이들 부류는 낮은 메모리 속도와 조여진 타이밍이 좋다는 것을 여기서 찾는다면 놀랄 것이다. 사실, 다양성이 존재하는 이 세상에서, 진실을 가장한 거짓말은 어느곳에나 숨어있다. 나는 친절하게 모든이가 다시 모든이가 부분적으로 당신의 지식을 기쁜 맘으로 고칠 수 있게 하겠다. (그러나, 이러기 위해선 당신의 지식이 약간은 틀렸다는 것을 꼭 인정 해야한다...)


PC-4200 -> DDR-533 -> 기본 주파수 266Mhz
266Mhz=초당 266백만 사이클 -> 초당 3.76 * 10^-9 사이클 (3.76ns)

CL 3 = 3 x 3.76 ns = 11.28 ns
CL 4 = 4 x 3.76 ns = 15.04 ns
CL 5 = 5 x 3.76 ns = 18.80 ns

PC-5300 -> DDR-667 -> 기본 주파수 333Mhz
333Mhz=초당 333백만 사이클 -> 초당 3.00 * 10^-9 사이클 (3.00ns)

CL 3 = 3 x 3.00 ns = 9 ns
CL 4 = 4 x 3.00 ns = 12 ns
CL 5 = 5 x 3.00 ns = 15 ns

이미 우리는 DDR-667에서의 CL 5 지연시간에서 거의 DDR-533에서의 CL4 지연시간과 비슷한 것을 보았다. 계속 가보자...

PC-6400 -> DDR-800 -> 기본 주파수 400Mhz
400Mhz=초당 400백만 사이클 -> 초당 2.50 * 10^-9 사이클 (2.50ns)

CL 3 = 3 x 2.50 ns = 7.50 ns
CL 4 = 4 x 2.50 ns = 10.00 ns
CL 5 = 5 x 2.50 ns = 12.50 ns
CL 6 = 6 x 2.50 ns = 15.00 ns

아하! CL6도 그렇게 나빠보이진 않는다... 계속 하자.

PC-8000 -> DDR-1000 -> 기본 주파수 500Mhz
500Mhz=초당 500백만 사이클 -> 초당 2.00 * 10^-9 사이클 (2.00ns)

CL 3 = 3 x 2.00 ns = 6.00 ns
CL 4 = 4 x 2.00 ns = 8.00 ns
CL 5 = 5 x 2.00 ns = 10.00 ns
CL 6 = 6 x 2.00 ns = 12.00 ns

흠...CL6의 DDR-1000이 보기에 CL4의 DDR-667과 지연시간이 동일하다. 당신은 이제 왜 모두가 높은 메모리 주파수에서 "풀어진 타이밍" 을 싫어하는지에 대해 의문점을 가지기 시작할 것이다...그래...나도 같다.

이 그래픽적 도식도가 이 점에 대해 도와줄 것이다.

편집자 주 : 추가적인 DDR3 속도/지연시간에 대한 업데이트된 표이다. (2007년 8월 2일에 추가)

난 이 그림에서 중요한 경향이라고 생각되는 것들에 강조를 했다. 어두운 회색 박스는 고성능 영역의..예를들면 CL3의 DDR-800, CL4의 DDR-1000 등등에 상응하는 것이다. 밝은 빨강 박스는 퍼포먼스 메모리의 영역에 가까운 제품군 들이며 (가끔 보수적인 의견으로 인해 평가절하되기도 한다.) - 한 박스 오른쪽으로 갈수록 높은 지연시간이 된다. 밝은 연두색 박스는 "램 죽이기"로 딱 좋은 설정이다. (한칸 왼쪽으로) CL3에 DDR-1000도 당연히 가능하다....만약 당신이 24시간/7일 사용을 하여 1주 안에 램을 죽이고 싶다면 말이다.

2번째 요점으로 나는 이것을 말하고 싶다. : DDR3가 오고 있다. CL6, CL7과 -우웩- 심지어 CL9라도 두려움을 갖지 말라. 만약 당신이 이 윗 그래프를 계속 이어가서, 높은 속도와 높은 지연시간을 확장한다면 나는 자신있게 이 경향이 이어진다고 말할 수 있다. 이 "높아지는" 지연시간은 최소 신호 샘플과 정확한 데이터 전송을 위한 홀드 요구 시간의 관리를 위해 필요하다.

이것에 대해서는 최고의 성능을 위한 당신의 CPU배수, NB 스트랩과 메모리 스트랩 (과 타이밍)을 설정하려 고려할 때 다시 한번 보도록 하겠다. 기억 할 것은, 각각의 컴포넌트는 최고 성능점을 가지고 있는데, 불행하게도 그들은 항상 그것을 유지할 수 없다. 우리의 목표는 어떻게 당신이 당신의 시스템을 최상의 솔류션으로 끌어 올릴 수 있느냐는 것이다...

출처: http://www.thetechrepository.com/showthread.php?t=160

어제 제가 올린 글에 대한 CAS Latency에 대한 설명으로 보시면 됩니다.

메모리나 이런 컴퓨터 시스템은 클럭보다는 시간으로 보시는게 좀 더 이해하는데 도움이 되십니다. 적합한 기사가 나와 올렸습니다.

이제 전압 강하에 대해 분석하는 글로..

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