음. 머리좀 풀고자 함 꾸시렁 대 봅시당.

현재 45nm의 프로세서는 저기 TSMC에서 말하는 193nm의 파장을 갖고 있는 ArF인가 ArK인가 하는 레이져로 lithography, 석판 인쇄술이 가능합니다.

너무 파장이 길어 이것을 45도 기울여서 파장의 반만 사용하게 됩니다. 현재 Ar 계열의 레이져는 45nm까지만 사용 가능합니다. 32nm에서는..

여기에서 더욱 내리려면 가능은 한데, 22nm 에서는 맨날 말하지만 빛이 입자의 형태가 아닌 파동의 형태로 동작하기 때문에 회로를 만들기가 좀 이상해질 듯 합니다. 입자라면 정해진 자리에 나오지만 파동의 형태로 작용하면 그 정해진 자리에 있을 "확률" 로 나오게 된다고 알고 있습니다. 양자학 전공 누구 없나? 회로 밖에서 튀어나올 확률이 존재한다는 게지요.

현재로써는 X-ray의 가속광선을 사용하여 1nm 선폭의 회로 lithography도 가능은 합니다. 물론 가속자는 예전에 뭐 전자 가속 해서 블랙홀 만든다는 그런 지름 2km 던가 원둘레 2km의 가속로가 필요합니다. 이름이 뭐였더라? 미니 가속로는 IBM 만이 갖고 있다는건 예전에 리플로 함 씨부렸었습니다.

그리고 요즘 low-k 라는 말이 나오는데, 저 TSMC 관련 글에서 언급 하였듯 2.5 정도의 k값을 가진다고 나와 있습니다. 현재 2.5면 아마 신소재 쪽에서는 어떤 물질인지 감이 잡히실 겝니다. 전 까먹었네영 2달전 배웠는데.

http://gigglehd.com/zbxe/975259#7

일단 공기는 k값이 1로, 제일 낮은 물질입니다. 왜 근데 공기를 안쓰느냐? 실리콘 안에 공기 넣을 수가 있나영. ㅡ,.~

k값이 낮은 물질일수록, 실리콘의 접착과정, 그러니까 USV라는 Ultra Sonic Vibration 같은 와이어 본딩 기술 중에 깨져나갈 수 있게 됩니다. 뭐 요즘엔 많이 개선을 해서 거의 이런것에 대한 위험은 줄었다고 하지만, k값이 더 낮은 물질로 갈수록 다시 개선을 해야겠지영.

일반적으로 반도체는 low-k를 쓰면 고클럭을 유지하기가 힘들고, high-k를 쓰면 게이트 스택(stack, 쌓기) 이 힘들고 그만큼의 기술이 필요하다고 알려져 있습니다. low-k는 AMD의 현 프로세서에서 쓰고, Intel은 high-k 쓰지요. 뭐 일단 중소기업의 한계니까. 쌤성보다 AMD가 짝다는건 알졍?

오늘은 여기까지? 아니면 뭐 알만한게 뭐있을까...

아참, CPU를 보면 칩의 사방으로 금색 선이 나가지요?펜티엄 같은 경우에. 뭐 요즘껀 플립칩이니 없겠지만.

램은 아직까지 금실로 와이어본딩을 합니다. 램의 특성 상 BGA 패키징을 하지만, 칩 자체에서 와이어 본딩을 하는 것은 CPU와는 달리 램의 중심 선에 와이어본딩 라인이 좍 들어가게 됩니당. 왜그런간 까먹었고, 램만 특이하게 이런다네영. 이래서 패키징 방법도 혼자 특이합니당.




와 페이지 봐라.-_-;