FBC(Floating Body Cell).

SRAM과 eSRAM은 현재 제일 많이 쓰이는 임베디드 방식의 메모리이다. SRAM은 6개의 트랜지스터로 구성되고 크기가 크지만 속도가 매우 빠르고 제조 난이도도 매우 낮다. eSRAM은 하나의 유닛에 오직 한개의 트랜지스터와 캐패시터만 사용하여 크기가 작지만, 속도가 늦고 제조도 어려운편이다. 

FBC는 이 두가지 기술의 장점을 모아, 하나의 셀이 하나의 트랜지스터로 구성되어 SRAM보다 매우 작고, 동시에 속도는 eSRAM보다 더 빠르며, 제조도 상대적으로 간단한 것이 특징.

인텔은 2010년 6월 시점에 이미 22나노미터 공정으로 SOC 웨이퍼에서 FBC 메모리 셀을 만드는데 성공하였으며, 대량 생산에 알맞는 벌크 웨이퍼에 사용하기에 매우 알맞다고 평가하였다. 

인텔 이외에도 버클리와 도시바가 FBC를 연구중인데, 그 실현 방법은 인텔과 다르다고 알려져 있다.