인텔에게 있어서 기존의 스맥오버 X58 메인보드에 만족하지 못하기에, 다음 버전인 스맥오버 2에서 히드라 칩을 추가하여 그래픽의 성능과 공동 연산 성능을 개선할 수도 있습니다. 인텔의 X58 칩셋은 자체적으로 크로스파이어와 SLI를 지원하지만, 히드라를 추가하면 NVIDIA와 ATI 사이에 연산이 가능해집니다. 다만 지금의 문제라면 히드라가 탑재된 제품이 도대체 언제 나오냐는 것.
확장 슬롯이PCI Express(2.0) x16×3(x16/x0/x16혹은x16/x8/x8),PCI Express x4×1,PCI×2그리고ATI CrossFireX및3-way NVIDIA SLI어느쪽이나 서포트.6책 있다DDR3 DIMM하DDR3-800/1066/1333/1600(OC), 최대24GB까지 탑재 가능.
온보드 인터페이스로서 듀얼 Gigabit Ethernet(Marvell/88E8052+88E8053)(이)나IEEE1394(VIA/VT6308P),Serial ATA II×8,IDE×1하지만 탑재되는 것 외에Realtek/ALC889채용의8ch사운드 카드 「Bernstein audio module」(이)가 부속된다
가격은 38970엔.
클럭이 2.7GHz, 하이퍼트랜스포트 클럭이 1.8GHz, 2MB L3 캐시 내장, 각 코어당 512KB L2 캐시 장착, 가격은 8980엔.
핫 뉴스: 세 가지 버전
EVGA는 그들이 EVGA Geforce GTX 260 Core 216개 / 55nm 카드를 발표해서, 최소한 유럽에서는 처음으로 이 카드를 출시한 회사가 될 거라고 알려주었어요. 이것은 그리 놀랍지 않은데, XFX는 ATI로 방향을 약간 틀었고 BFG는 이전처럼 크지 않기 때문에 사실상 EVGA가 Nvidia의 가장 큰 파트너이기 때문이에요. 새 55nm GTX 260에는 최소한 세 가지 제품이 있을 텐데, 레퍼런스 클럭과 수퍼 클럭, 그리고 수퍼 수퍼 클럭 카드예요.
이 카드는 Flextronics가 만들며 이 카드는 매우 좋은 오버클러킹 능력을 갖출 거예요. Nvidia는 보통 Flextronics를 자사의 첫 NVTTM(Nvidia Time To Market) 생산 공장으로 쓰며, EVGA가 첫 제품을 받기로 결정했고, 다른 선택의 여지가 없었을 거예요.
우리는 이 카드가 오스트리아에서 Grafikkarte PCI-E 2.0 EVGA e-GeForce GTX 260 Core216 55nm Superclocked, Retail, 896MB란 이름으로 ditech.at에 올라온 걸 발견했고, 가격은 €299이며 클럭 속도는 626MHz예요.
수퍼수퍼 클럭 카드는 최소한 666MHz에서 작동할 것이며, 700MHz까지도 갈 수 있을 거라 예상해요.
이 카드들은 다음 주 처음에 선적될 것이며, 이 카드를 사서 크리스마스 트리 아래 놓을 수 있는 기회는 별로 없을 거예요. 이것은 GTX 260 제품의 세 번째 버전이며, 첫째는 쉐이더 192개짜리, 둘째는 쉐이더가 216개며 계속 65nm 칩인 제품이고, 그리고 마지막 제품은 52째주에 살 수 있게 될 55nm칩에 쉐이더가 216개인 GTX 260이에요.
올라온 제품은 여기 있어요.
graphene - 흑연 박막
연구자들은 Graphene에서 새로운 메모리를 만들다.
연구자들은 graphene으로 메모리를 만드는 방법을 고안하였다.
오늘날 컴퓨터의 저장장치는 회전 자기 플래터나 플래시 메모리에 기반하고 있다. 이 두개의 미디어 모두 작동은 원활하며, 엄청난 양의 저장용량을 제공하며 현재 주위에서 어렵지 않게 찾아볼 수 있다. 몇몇 과학자들은 플래시가 컴퓨터와 전자 기기의 미래 저장장치로써 쓰이는 것을 인정하지 않는다. 사실, 미래의 저장기기는 아이들이 학교에서 매일 사용하는 무엇인가에서 기반될 수도 있다. -- 연필이나 흑연이 그것이다.
Rice 대학의 연구 팀은 원자 10개 정도의 두께를 갖는 흑연 조각으로 새로운 종류의 메모리 형태를 찾아냈다. 흑연은 새로운 종류의 메모리에 기본적인 요소이다. 이 과학자가 온라인 잡지 Nature Materials 내의 논문에서 기술하기를 graphene의 전도 속성을 사용한 저장기기라고 쓰여 있다. graphene의 큰 덩어리는 흑연으로 더 잘 알려져 있는데, 이것은 학교에서 어린이들이 매일 낙서 하는 데에 쓰인다.
Rice의 교수 James Tour는 graphene 메모리는 2차원 배열로 인해 5배 정도의 저장 용량을 증대 시킬 수 있다고 한다. 그가 말하기를 이 엄청난 향상은 각기 비트를 저장하는 공간이 10나노 미터 이하로 줄어듦으로 생긴 것이라 하였다. 이와는 대조적으로, 오늘날의 플래시 메모리 칩의 평균적인 회로 크기는 45nm이다. graphene 메모리의 또다른 큰 이점으로는 오늘날 플래시 메모리가 3개의 터미널을 사용하는 것과는 달리 두개의 터미널로 제어될 수 있다는 것이다.
두개 터미널의 사용은 중요한데 아주 얇은 graphene 배열이 축적됨으로 해서, 각기 graphene 계층의 배열이 저장 용량을 증대시키는 삼차원 메모리 배열의 가능성을 제공하기 때문이다.
graphene을 이용한 저장 배열에서 핵심적인 것은 물리적인 기기가 될 것인데, 예를들면 칩은 아주 적은 전력을 소모할 것이다. 플래시 저장기기에서 전력을 읽어버리는 원인의 대부분은 전력 누출에서 온다. ; graphene 메모리는 데이터를 온전히 보관할 때 적은 량의 전력 누출을 함으로 해서 적은 전력을 필요로 하게 된다. graphene 메모리는 현재의 메모리 기술에 비해 온/오프 전력 비율이 엄청난 향상을 이루었다.
Tour가 논문에서 말하기를, "이것의 (전력 절약은) 엄청난 수준이다. - 백만 대 일. 업계에서 고려하고 있는 또다른 것인 상변화 메모리는 10 대 일 비율로 동작한다. 이것은 '꺼져있는' 상태가 유지하는 양으로, '켜져있는' 상태에 비해 1/10 정도의 전류가 흐른다는 것을 말한다.
Tour가 설명하기를 전하를 잡고 있는 전원이 꺼져있는 쪽에서 전류가 유출되려는 경향이 있다고 한다. 그가 말하기를 " 10x10 배열에서, 10개의 '꺼진 상태들' 은 그들이 '켜져' 있었던 것같이 보일 정도로 유출이 된다는 뜻이다. 우리의 방법으로는, 한 줄에서 1백만개의 '꺼져있는' 상태가 '켜져있던' 것처럼 보일 수 있게 한다. 그러므로 이것은 엄청나다. 이것으로 하여금 더 큰 배열을 만들 수 있게 한다." 라고 하였다.
graphene을 저장장치 미디어로 쓸 때의 또다른 이점은 꺼져 있는 상태에서 적은 열을 내기에, 아주 폭넓은 외부 기온 환경에서 동작한다는 것이다. 연구자들은 시스템을 영하 75도에서 영상 200도까지 테스트 하였다.
graphene 기반 시스템의 성능은 인상적인데, 연구자가 말하기를 새로운 스위치들은 랩실에서 측정할 수 있는 장비보다 더 빠르다고 하며 이들은 또한 긴 수명을 가지기도 한다. "우리는 2만번 테스트 하였지만 어떠한 성능 저하도 없었다." 고 Tour가 말하였다. "이것의 수명은 아주 엄청날 것인데, 플래시 메모리 정도는 우습게 뛰어넘을 것이다."
이 공정은 실리콘 상에 화학 증착법을 사용하여 graphene을 도포 시키는데 이것으로 하여금 쉬운 제조를 할 수 있으며 상업적인 대량 생산 방법은 이미 사용 가능하다고 Tour가 말했다.