삼성전자는 30nm 공정의 2Gb(Gigabit) DDR3 모듈의 생산을 시작했다고 발표했어요. 삼성전자에 의하면 40nm와 비교해서 DDR3의 생산량은 30nm에서 60% 가량 향상되었고, 가격 대비 생산 효율성은 50/60nm에 비해 두배 이상 향상되었어요.


 삼성의 30nm 2Gb DRAM은 50nm에 비해 전력 소모량을 30% 정도 줄였으며, 데스크탑부터 노트북, 서버, 넷북, 모바일 장치 등 모든 영역을 대상으로 해요.


 30nm DRAM은 올해 하반기에 양산에 돌입할 거에요.


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