CPU 전압을 조정하는 FIVR을 위한 다른 동작 모드들
FIVR(Fully Integrated Voltage Regulator): Haswell에 완전히 통합된 전압 조정 장치(조정기)
Haswell에 완전히 통합된 전압 조정기를 아주 약간 설명하는 발표 이미지
현재 IvyBridge에서 BCLK 세계 기록은 116.95MHz 이고, Haswell은 100MHz, 125MHz, 167MHz 등의 기본 설정에서 기존처럼 5~7% 또 추가 설정 가능.
머더보드의 VRM(전원부)가 FIVR(Haswell에 내장된 전압 조정 장치)에 제공하는 것이 VCCin 이고,
이 VCCin 전압들은 FIVR(Haswell에 내장된 전압 조정기)에 의해서 여러 레일들로 쪼개지며, 우리는 이런 세부 전압들도 조절할 수가 있습니다.
여기서 우리는 Haswell이 지원하는 BCLK 클럭 비율을 볼 수 있는데, 이는 Z77과 X58를 합쳐 놓은 것 같기도 하고, 추가적인 여러 버스들이 다시 컴백을 한 것 같습니다
위 이미지에서는 클럭에 대한 여러 정보들을 볼 수 있고, 모든 ratio(비율)들도 볼 수 있습니다.
http://vr-zone.com/articles/intel-s-top-z87-motherboard-for-haswell-lga1150-smiles-for-the-camera/19601.html
삼성 SSD 840 250GB TLC SSD의 수명 테스트
written by Koen Crijns
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업데이트 1 (4월 10일)
우리가 TLC 플래쉬 메모리 구성의 삼성 840 SSD로 SSD 수명 테스트를 시작한지 1주일이 넘었습니다(정확히는 8일 입니다). 이런 테스트 시간 동안에 우리는 삼성 840 250GB SSD에 97,02 TB 쓰기를 했었고, 이는 1일로 계산시 평균적으로 10GB(//오타인듯, 10TB) 정도로 추정되며, 이를 평균 사용시로 계산하면 27년간의 사용으로도 계산이 되는 쓰기 양입니다.
Wear Level(프로그램? 전문 용어?) 표시계는 현재 59를 가리키고 있습니다. 그리고 S.M.A.R.T. 데이터에 따르면, 삼성 TLC SSD의 모든 메모리 Cell들은 406번의 파일(용량) 가득 채우기를 했었습니다. 이것들이 뜻하는 바는 우리가 그 삼성 TLC SSD의 공식 수명에서 41%를 사용했다는 것을 뜻하는 것입니다.
이런 과정이라면, 그 삼성 TLC SSD는 계속적인 쓰기 과정에서 약 3주 정도 쯤에 공식 수명 기간에 도달할 것 같습니다. 그리고 이 때는 Wear Level 표시계가 0를 가리키게 될 것입니다.
현재 우리가 만들 수 있는 하나의 예비적 결론은 삼성의 wear levelling 알고리즘은 잘 동작하며, 고정된 데이터하고도 또한 잘 동작한다는 것입니다. 테스트 끝에 가면 보다 더 확실히 알게 될 것 같습니다.
만약 고정 데이터가 결코 이동되지 않는다면, 플래쉬 메모리의 256 – 121 = 135 GB만이 쓰기로서 이용할 수 있을 것입니다. 그리고 공식 수명은 1000 x 135 GB = 135 TB 가 되면 끝날텐데, 운이 좋다면 그 이상이 될 것 같기도 합니다.
큰 궁금점은 이것의 공식 수명 (쓰기 데이터 양 )이 끝난 이후에도 얼마나 오래 유지되는가 입니다. 우리의 테스트는 계속 업데이트가 될 것이기 때문에, 우리 기사를 지켜 보세요.
아래의 스샷은 현재의 상태이며, 위 동영상으로는 실시간 진행과정을 확인할 수도 있습니다.
※ 위 번역글은 블로그나 개인적 공간및 사이트로 퍼갈 수 없으며, 이런 공개적 게시판으로는 그냥 퍼가셔도 됩니다.
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왼쪽은 일반 Haswell 칩 구성, 오른쪽은 Crystalwell eDRAM을 추가적으로 통합시킨 GT3e 버젼의 구성도
몇 달 전에, 우리는 eDRAM이 내장된 버젼의 Haswell이 다가올 것이라고 독점적으로 밝혔었습니다.
그럼 이런 GT3e를 갖춘 Hawell은 결국 어느 시장을 목표로 할까요? 고성능 55W 쿼드코어와 함께하는 이 칩은 BGA 타입으로만 나올 것이며, 고성능 노트북 시장과 데스크탑 AiO(올인원,모니터와 본체 결합된 제품) 시장을 목표할 것입니다.
// 그냥 참고로서, AMD는 올 12월 쯤에 내놓을 APU에선,,아마도 내장 GPU가 시스템 메모리(DRAM)를 CPU와 동시 사용가능하도록 개선될 것이기 떄문에.. 내장 GPU의 메모리 대역폭과 용량에서도 AMD가 여전히 앞서 보입니다. 위 Intel 방식은 뭐랄까 우회 방법이거나 차선책인 것 같은데.. 아무래도 AMD와 같은 직접 방식은 개발 못하고 있거나(GPU 기술쪽과 관련될 수 있기 때문에),,
Intel의 대우주짱 제조 기술력으로 그런 우회 방식의 한계를 극복시킬 전략일 수도 있겠다 생각은 듭니다.
그리고 eDRAM을 우회방식으로 표현한 이유는 (그 부분도 잘 알고 있습니다..).. 그것의 속도가 일반적 L1,L2,L3 캐쉬 메모리와는 전혀 다른 속도가 될 것 같기 때문에 그렇게 말한 것입니다. 대신에 AMD의 방식은 보다 더 근본적이고 더 좋아 보이는 방식 같고요.
그리고 이 주제에서 공유 L3 캐쉬가 왜 나와야 하는 것인지 모르겠고,,.. Intel의 L3 캐쉬가 있는 모델들이 APU 이상이다 라고 설명을 왜 하는지도 잘 모르겠네요. AMD도 공유 L3 캐쉬가 있는 모델들이 있고, 그리고 저런쪽은 지향하는 목표가 다른데 말이죠.. 특히 APU라면... AMD가 APU를 들고 나온 이유가 어떻게 생각을 하시길래.. 그런 비교를.....
만약 그런 L3 캐쉬의 설명이 통할려면,, Intel이 eDRAM이 아니라.. GPU도 그 공유 L3 캐쉬를 사용한다고 했으면.. 모를까요.. 그런 얘기가 왜나와야 하는지.. 모르겠습니다.
또한 AMD 슬라이드들을 보시면, GPGPU 쪽은 4세대 입니다. 그것도 GPGPU 지원 얘기는 암시적 얘기고요..
그리고 메모리 공유는 3세대 APU에서 나오는 거고요.. 앞과 뒤가 안맞는 주장을 하시는 것 같습니다.