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DDR4

조회 수 4977 추천 수 0 2011.01.10 13:41:25

*.136.163.3

편집 Histories

DDR4. 차세대 메모리 표준.

DDR4 메모리는 클럭이 2133~4266Mhz를 목표로 개발되고 있으며, 전압은 1.05~1.2V, 32/36나노 공정으로 목표되었다.

2011년 1월에 삼성이 세계 최초로 DDR4 메모리 개발의 완성을 발표, 30나노급 공정으로 양산을 시작하였다. 삼성의 최초 DDR4 메모리는

UDIMM(Unbuffered Dual In-line Memory Modules)에 속하며 클럭은 2133MHz, 전압은 1.2V, 용량은 2GB, 고급형 메모리에 사용되는 POD(Pseudo Open Drain) 기술을 사용하여 누설 전류가 DDR3의 절반 수준이며 소비 전력도 40%가 줄어든 것이 특징.