엘피다(Elpida). 일본의 DRAM 메모리 업체.

1999년 12월 20일에 NEC와 히타치 제작소가 같은 비율로 출자하여 NEC 히타치 메모리 주식회사라는 이름으로 설립.

2000년 3월 31일에 NEC와 히타치의 DRAM 판매 부분을 NEC 히타치 메모리에 통합시켜, 2001년 봄에 통합이 완료됨.

2000년 4월 1일에 NEC의 DRAM 설계/개발 거점인 사가미하라에서 DRAM의 설계/개발 업무를 시작. 이때 당시에 판매/생산할 능력은 없어 설계/개발만 가능하였음.

2001년 봄까지 NEC와 히타치 브랜드를 계속 사용하다가 2001년 9월 28일에 통합 브랜드인 '엘피다'를 사용하기 시작.

2001년 가을까지 생산은 NEC의 반도체 제조 자회사인 NEC 히로시마에서 담당. 2001년 12월에 NEC 히로시마 부지에 300mm 웨이퍼 DRAM 전용 라인을 건설할 계획이었으나 DRAM 시장 상황 악화로 2003년 1월로 연기.

2002년 3월 18일에 미쯔비시 전기의 시스템 LSI 사업과 히타치 제작소의 시스템 LSI를 통합하여 르네사스를 발족. 도시바와 후지쯔가 DRAM에서 퇴장. 2003년 4월 이후에 엘피다가 일본의 유일한 DRAM 메이커로 남게 됨.

2002년 10월 3일에 미쯔비시 전기의 DRAM 사업이 엘피다에 흡수된다고 발표. 기한은 2003년 4월 1일까지.

2003년 9월 1일에 NEC 히로시마가 엘피다의 실질적인 자회사가 됨. 2007년 7월 25일에는 병합을 발표하고 2008년 4월 1일에 합병 완료.

2008년 11월에는 50나노 공정 DDR3 SDRAM의 개발을  완료.

2008년 12월에는 50나노 2GB 모바일 DRAM을 발표.

2009년 1월에는 1기가비트 XDR DRAM을 세계 최초로 발표.

2009년 10월에는 40나노 2Gb DDR3 DRAM을 개발.

2009년 11월에는 프로모스와 DDR3 메모리, 윈본드와 GDDR3/5 메모리의 생산 위탁을 발표.

2009년 11월에 2기가비트 x32비트 I/O DDR2 SDRAM를 출시.

2010년 1월에 40나노 2Gb DRAM 칩의 양산을 시작

2010년 3월 말에 40나노 4Gb DRAM 칩의 양산 준비.

2010년 4월 중순에 40나노 4Gbit DDR3 SDRAM을 개발 완료. 3/4 분기에 양산할 예정. 1.5V와 1.35V 지원 최대 32GB 서버용 메모리, 8GB 노트북용 메모리 생산 가능, 4/8비트는 78 FBGA, 16비트는 96 FBGA 패키징.

2010년 6월에 2Gb GDDR5 개발 계획을 발표, 7~9월에 출시 예정. 50나노 공정, 7Gbps 전송 속도, 64Mbit x32/x16. 히로시마 공장에서 생산 예정.

2010년 7월에 2Gb LPDDR2 메모리 칩을 개발. 40나노 CMOS 공정으로 히로시마에서 생산, 1.2V 저전압, 1066Mpbs 고속 전송으로 64비트에서 8.5GB/s의 대역폭, FBGA 패키징, 샘플은 9월 출시 예정. 

2010년 9월에 미국 스팬션(Spansion)과 함께 세계 최초로 차지 트래핑(Charge-trapping) 4Gbit SLC 1.8V 낸드 플래시 메모리의 개발에 성공. 차지 트래핑은 미세화에 유리하며 셀 구조도 단순하기 때문에 칩 크기가 줄어들고 읽기 속도는 2배, 쓰기 속도가 15% 더 빠른 것이 특징. 2010년 4분기에 샘플 출하,  2011년 1/4분기에 히로시마에서 양산, 용량 2Gbit, 1Gbit 제품과 3V 제품도 개발중.

2010년 9월 말에 30나노미터 공정 2Gbit DDR3 SDRAM 개발 발표. 40나노 공정보다 생산량이 45% 증가, 1866Mhz는 1.5V, 1600MHz는 1.35V, 대기 전류 감소.

2010년 11월에 32GB LRDIMM을 개발하고 샘플 출시를 시작. 2011년 1~3월 양산 예정.

2010년 12월에 WLC 패키징의 2Gb DDR3 SDRAM을 발표. 기본 전압에서 DDR3-1600, 1.35V에서 DDR3L-1333가 가능하며 2011년 1분기 양산 예정.

2010년 12월에 30나노 공정의 4GB DDR3 SO-DIMM 메모리 샘플 출하. 2011년 1분기에 양산.

2011년 3월에 25나노 DDR3 2Gb SDRAM의 개발 성공을 발표.