인텔과 마이크론이 새로운 비휘발성 메모리 기술인 3D XPoint를 발표했습니다. 낸드 플래시 중에선 25년만에 개발된 신형 메모리라고 하네요.

메모리 셀을 고밀도로 충전하는 크로스 포인트 어레이 스트럭처, 메모리 다이를 적층하는 Stackable 구조, 메모리 셀에 간단히 액세스가 가능한 셀렉터 기능 등을 결합해, 기존 메모리보대 성능이 최대 1000배, 밀도는 10배 향상됩니다.

트랜지스터를 사용하지 않는 독자적인 크로스 포인트 구조를 사용, 워드 라인과 비트 라인의 교차점에 메모리 셀을 배치하는 3D 스트럭처를 만들어 메모리 셀에 개별 접근이 가능합니다. 도체가 수직으로 배치된 1280억개의 메모리 셀과 연결되는 3D 고밀도 설계라네요.

트랜지스터가 필요 없는 메모리 셀 셀렉터를 쓰기에 다양한 전압에서 읽기/쓰기가 가능하며 대용량화와 저비용화를 실현. 앞으로 적층 수를 더욱 늘려 더 높은 용량을 구현할 수도 있을 것이라 합니다.

이로서 실시간 추적, 8K 해상도의 게임 등 기존의 스토리지에서 어려웠던 애플리케이션의 제작이 가능해지며, 이 기술을 도입한 낸드 플래시는 2015년 후반에 샘플이 출시될 것이라고 합니다.