SK 하이닉스가 올해 36개 층을 적층한 3D 낸드 플래시를 양산하고, 16nm 공정의 TLC 낸드 플래시, DRAM은 10nm 공정으로 발전시킬 것이라고 합니다.

삼성의 V-NAND는 32층이며 올 하반기에 48층 적층으로 진도를 뺄 것입니다. 인텔-마이크론의 3D 낸드도 32층, 도시바-샌디스크는 내년에 3D 낸드를 양산합니다. 따라서 SK 하이닉스도 시작은 36층 3D로 해야 되겠지요.

3D 외에 평면형 메모리에선 16nm TLC가 나옵니다. 2분기에 TLC의 비중이 10%, 연말에는 40%로 늘어날 것이라고 하네요. 3분기에는 16nm TLC를 쓴 SSD도 출시돼 TLC SSD의 비중이 20~30%로 늘어납니다.

메모리의 경우 삼성은 20nm 공정을 대규모 양산 중입니다. 이천의 M14 DRAM 공장은 최종 단계에 들어서 한달에 1.5만장의 웨이퍼를 생산하게 될 것으로 보입니다. 다만 내년 6월은 되야 10nm DRAM의 샘플이 나올 듯.