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출처: : | http://videocardz.com/52874/hynix-high-b...-leaks-out |
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1세대 초고속 메모리
하이닉스의 계획은 4개의 DRAM 조각들을 한개의 베이스층에 집어 넣는것입니다.
DRAM 다이는 실리콘 관통 전극 (TSV) 라고 불리우는 수직채널하고 서로 연결.
1Gbps 까지 송신이 가능하며 대역폭은 128GB/s.
2세대 초고속 메모리
하이닉스는 아직 이 기술을 개발 중입니다. DRAM 다이당 8Gb
2세대 초고속 메모리는 4 , 8 GB 로 출시될것입니다. 스택당 속도는 두배 (256GB/s)
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